The etch gas composition DOE discus

The etch gas composition DOE discussed in 3.1.2 and the Ohnishi plots in Figure 5 show that the C-N ring structure etches slower in O2 and faster in CF4 and N2/H2 than it should. Based on polymer decomposition theory, we know the C-N ring can form a stable structure and performs like aromatic carbon ring in O2. In this case, nitrogen has negative contribution to etch, which should be considered as the same function of carbon. The appropriate etch rate equation is

結果 (繁體中文) 1:

蝕刻氣體組合物在DOE 3.1.2討論並在圖5中顯示的曲線圖大西該CN環結構在O2蝕刻速度較慢，在CF 4和N 2 / H 2的速度比它應該。基於聚合物分解的理論，我們知道CN環可形成穩定的結構，並且執行像O2芳族碳環。在這種情況下，氮必須蝕刻負貢獻，這應被認為是碳的相同的功能。適當的刻蝕速率方程為：

結果 (繁體中文) 2:

圖5中討論的蝕刻氣體成分DOE和圖5中的Ohnishi圖表明，C-N環結構在O2中蝕刻速度較慢，在CF4和N2/H2中蝕刻速度慢。基於聚合物分解理論，我們知道C-N環可以形成穩定的結構，在O2中具有芳香碳環的性能。在這種情況下，氮對蝕刻有負貢獻，這應該被視為碳的相同功能。適當的蝕刻速率方程為

結果 (繁體中文) 3:

3.1. 2中討論的刻蝕氣體成分DOE和圖5中的Ohnishi圖表明，C-N環結構在O2中的刻蝕速度慢於其應有的速度，在CF4和N2/H2中的刻蝕速度快於其應有的速度。基於聚合物分解理論，我們知道C-N環能形成穩定的結構，在O2中表現出類似芳香碳環的性質。在這種情況下，氮對刻蝕有負貢獻，這應該被視為碳的相同功能。合適的蝕刻速率方程是