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對於任一類型的晶片（熱測試或主動），PH 必須足夠大，使結溫度大幅上升（20°C 或更多），以確保足夠的熱測量精度。由於熱特性可能因 PH 值的不同而不同，因此實際應用功率不應因設備與設備之間的變化超過 PH 的預期值的 5%。
3.4.2 測量條件

下面的討論適用于動態測試模式。

EIA/JEDEC 標準號 51-1
第19頁

除了為測量條件正確選擇 IM 之外，還必須仔細確定從刪除 PH 到開始第二次 TSP 電壓測量（稱為測量延遲時間 （tMD）的時間。確定 tMD 正確值的最佳方法是使用 200 ms 到 400 ms 範圍內的低加熱時間 （tH） 值收集熱測試資料作為 tMD 的函數，然後繪製類似于圖 2 所示的冷卻曲線。

用於進行熱測量的正確 tMD 值對應于實際資料曲線和最佳擬合直線收斂後的時間。但是，除非最佳擬合線具有零斜率，否則使用此時間點進行 tMD 可能會導致由於交匯點冷卻而導致的錯誤。潛在誤差如圖 12 所示。點 A 是最適合的直線 Y 軸截距值，對應于"零 tMD"值，如果可以在刪除 PH 後立即進行第二次 TSP 測量，則該值將會產生。如果 tMD = 40°s 是所選測試條件，則此點到 Y 軸的水準投影將生成點 B。使用非零 tMD 引入的交匯點冷卻誤差（即：
本例中 40 等值由 A 值與 B 值的比率表示。如果接頭冷卻
不是一個因素，那麼零斜率最佳擬合線將產生一個比率。

圖12。用於測量誤差測定的冷卻曲線 Y 軸值

EIA/JEDEC 標準號 51-1 頁 20

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