X-ray photoelectron spectroscopy (X

X-ray photoelectron spectroscopy (XPS) was used to study the tribo-films formed due to thephase transformations occurred at the cutting tool/chip interface. The XPS equipment consisted ofa Physical Electronics (PHI) Quantera II spectrometer with a hemispherical energy analyzer, an Alanode source for X-ray generation, and a quartz crystal monochromatic for focusing the generatedX-rays. The samples were sputter-cleaned before collecting the data. The beam for data collectingwas 100 micrometers, and all spectra were obtained at a 45◦take off-angle. The neutralization of all samples was ensured.

結果 (繁體中文) 1:

X射線光電子能譜（XPS）被用來研究由於所形成的摩擦起膜
的相變發生在切削工具/芯片接口。該XPS設備包括了
一個物理電子（PHI）QUANTERA II光譜儀具有半球形能量分析儀中，Al
用於X射線產生源的陽極，以及用於聚焦所產生的石英晶體單色
X射線。收集數據之前，將樣品濺射清洗。用於數據收集的光束
為100微米，並且在一個45◦獲得所有光譜
起飛角。所有樣品的中和得到保證。

結果 (繁體中文) 2:

X射線光電子光譜學（XPS）用於研究由於
切削刀具/晶片介面發生相位變換。XPS 設備包括
a 物理電子 （PHI） 廣地 II 光譜儀，帶有半球能量分析儀，一種
用於 X 射線生成的陽極源，以及用於聚焦生成的石英晶體單色
X光片在收集資料之前，對樣品進行了濺射清理。用於收集資料的光束
是100微米，所有光譜都獲得在45°
起飛角度。確保所有樣品的中和。

結果 (繁體中文) 3:

利用X射線光電子能譜（XPS）研究了摩擦磨損過程中摩擦膜的形成
在刀具/晶片介面處發生了相變。XPS設備包括
一臺物理電子學（PHI）量子Ⅱ光譜儀和一臺半球形能量分析儀
用於產生X射線的陽極源和用於聚焦產生的X射線的單色石英晶體
X光片。在收集數據之前對樣品進行了濺射清洗。資料獲取梁
為100微米，所有光譜均在45°處獲得
起飛角度。確保了所有樣品的中和。