Photodetectors with high photoelectronic gain generally require a high的繁體中文翻譯

Photodetectors with high photoelect

Photodetectors with high photoelectronic gain generally require a high negative workingvoltage and a very low environment temperature. They also exhibit low response speedand narrow linear dynamic range (LDR). Here, an organic photodiode is demonstrated,which shows a large amount of photon to electron multiplication at room temperaturewith highest external quantum efficiency (EQE) from ultraviolet (UV) to near-infraredregion of 5.02 × 103% (29.55 A W−1) under a very low positive voltage of 1.0 V,accompanied with a fast response speed and a high LDR from 10−7 to 101 mW cm−2.At a relatively high positive bias of 10 V, the EQE is up to 1.59 × 105% (936.05 A W−1).Inversely, no gain is found at negative bias. The gain behavior is exactly similar to abipolar phototransistor, which is attributed to the photoinduced release of accumulatedcarriers. The devices at a low voltage exhibit a normalized detectivity (D*) over 1014Jones by actual measurements, which is about two or three order of magnitudes higherthan that of the highest existing photodetectors. These pave a new way for realization ofhigh sensitive detectors with fast response toward the single photon detection.
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結果 (繁體中文) 1: [復制]
復制成功!
具有高增益光電探測器一般需要較高的負工作<br>電壓和非常低的環境溫度。它們還表現出低的響應速度<br>,並縮小線性動態範圍(LDR)。這裡,有機光電二極管被證實的,<br>其中示出了在室溫下的大量的光子到電子倍增<br>從紫外(UV)最高外量子效率(EQE)到近紅外<br>的5.02×103的區域<br>%(29.55 AW-1 <br>)下1.0 V的非常低的正電壓,<br>伴隨著快速的響應速度和從10-7高LDR <br>至101 <br>毫瓦厘米-2 <br>。<br>在10V的相對較高的正偏壓,則EQE為至多1.59×105 <br>%(936.05 AW-1<br>)。<br>相反,沒有收穫是在負偏壓發現。增益行為是完全類似於<br>雙極型晶體管,這是由於積累的光誘導釋放的<br>載體。在低電壓下的器件表現出超過1014歸一化探測(d *)<br>通過實際測量,大約是幅度較高的兩個或三個順序瓊斯<br>比現有最高光電檢測器。這些鋪路實現一種新的方式<br>朝向單光子探測響應速度快的高敏感檢測器。
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結果 (繁體中文) 2:[復制]
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具有高光電子增益的光探測器通常需要高負工作<br>電壓和非常低的環境溫度。它們也表現出低回應速度<br>和窄線性動態範圍 (LDR)。在這裡,有機光電二極體演示,<br>顯示室溫下大量光子到電子乘法<br>具有最高的外部量子效率 (EQE),從紫外線 (UV) 到近紅外<br>區域 5.02 × 103<br>% (29.55 A W+1<br>)在 1.0 V 的極低正電壓下,<br>伴隨著快速回應速度和從 10+7 的高 LDR<br> 到 101<br> mW 釐米×2<br>.<br>在相對較高的 10 V 正偏置下,EQE 高達 1.59 × 105<br>% (936.05 A W+1<br>).<br>相反,在負偏置處找不到增益。增益行為與<br>雙極光電晶體,這是歸因於累積的光誘導釋放<br>載體。低壓器件在 1014 年表現出標準化檢測率 (D+)<br>鐘斯的實際測量,這是大約兩個或三個數量級以上<br>比現有的最高光電探測器。這些為實現<br>高靈敏度探測器,對單光子檢測有快速回應。
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結果 (繁體中文) 3:[復制]
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具有高光電增益的光電探測器通常需要高負工作<br>電壓和非常低的環境溫度。它們的響應速度也很低<br>窄線性動態範圍(LDR)。這裡展示了一個有機光電二極體,<br>在室溫下有大量的光子對電子的倍增<br>具有最高的外部量子效率(EQE),從紫外線(UV)到近紅外<br>5.02×103區域<br>%(29.55安W-1<br>)在極低的1.0V正電壓下,<br>具有快速回應速度和10-7的高LDR<br>至101<br>兆瓦釐米-2<br>.<br>在較高的正偏壓為10v時,EQE可達1.59×105<br>%(936.05瓦-1<br>).<br>相反,負偏壓下沒有增益增益行為與<br>雙極型光電電晶體,其歸因於累積的<br>載體。在低電壓下,器件的歸一化探測率(D*)超過1014<br>鐘斯的實際測量值,大約高出兩到三個數量級<br>比現有最高的光電探測器。這些為實現<br>對單光子探測有快速回應的高靈敏度探測器。<br>
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