We have also taken an AFM image of

We have also taken an AFM image of our device after ZnO QDs were sprayed on graphene, see Figure S1 in Supporting Information. It turns out ZnO QDs form many discrete islands with thickness of several tens of nanometers, which may be due to the aggregation of the ZnO QDs. Using the same spray method, we made a control device of ZnO QDs alone to investigate its optoelectrical properties. In the dark condition, the resistance is more than 10 10 Ohms. When we shine 325 nm laser on the device, this resistance value doesn’t change at all. This result confi rms that the electronic transportation properties we measured for the hybrid structures are indeed mainly from graphene, not from the pure QDs. Meanwhile, the transport characteristics of our device in Figure 2 a are the typical graphene ambipolar fi eld effect, which is very different from the n-type semiconductor behavior in ZnO QDs. [ 25 ]

結果 (中文) 1:

我们亦已采取我们的设备的原子力显微镜图像后氧化锌油溶性量子点被人喷上石墨烯，请参阅图 S1 中支持的信息。原来 ZnO 油溶性量子点形式许多离散群岛，厚度为数十个纳米，可能是由于聚合的 ZnO 油溶性量子点.使用相同的喷涂方法，我们取得了 ZnO 油溶性量子点单独进行调查其光电属性控制装置。在黑暗条件下，抵抗是超过 10 10 欧姆。当我们闪耀 325 nm 激光设备上时，该电阻值不会在所有更改。此为混合结构，我们测量的电子运输属性是事实上主要从石墨烯，不是从纯油溶性量子点的结果，对 rms。与此同时，在图 2 中，我们的设备的运输特征典型石墨烯双极型 fi 股票挂鈎存款效果，是非常不同的 n 型半导体行为在 ZnO 油溶性量子点。 [25]

結果 (中文) 2:

我们还采取了设备的AFM图像后的ZnO量子点喷在石墨烯，见图S1的支持信息。它原来的ZnO量子点的形成具有几十纳米的，这可能是由于在ZnO量子点的聚集厚度许多离散的岛屿。使用相同的喷涂法，我们由ZnO量子点的控制装置单独研究其光 - 电特性。在黑暗条件下，电阻大于10 10欧姆。当我们照325 nm激光装置上，这个电阻值不会改变的。这个结果的置信有效值，我们测定了混合结构的电子输运特性的确主要由石墨，而不是从纯量子点。同时，我们在图2中的设备的传输特性是典型的石墨双极音响视场的效果，这是由以ZnO量子点的n型半导体特性有很大不同。[25]

結果 (中文) 3:

我们还在ZnO量子点喷在石墨烯的AFM图像拍摄装置，在支持信息，参见图S1。原来，ZnO量子点形成的许多离散的岛屿与几十纳米的厚度，这可能是由于的ZnO量子点的聚集。使用相同的喷涂方法，我们做了一个控制装置的ZnO量子点单独研究其光电特性。在黑暗的条件下，电阻大于10欧姆10。当我们发光325 nm激光装置上的电阻值，这根本不需要改变。这一结果确定RMS，我们测得的混合结构的电子输运性质是主要从石墨烯，不是从纯量子点。同时，我们的设备在图2中，一个是典型的石墨双极场效应的传输特性，即从ZnO量子点中的n型半导体的行为非常不同。25。