Figure 4 shows the gain as a functi

Figure 4 shows the gain as a function of excitation intensity,as compared to the theory. The solid curve is the best fitting with P 0 = 3.91 × 10 − 8 Wcm − 2 and n = 1.05. Our data agrees well with the theory at relative high excitation intensity, showing a high gain up to 10 4 . And the responsivity of the device is calculated to be in the order of 10 4 AW − 1 , with the excitation intensity as low as 10 − 5 Wcm − 2 . At a lower excitation intensity ( P → 0), we predict the gain can be as high as 10 7 . To compare with the performance of ZnO nanowire

結果 (中文) 1:

图 4 显示了作为函数的激发强度，而理论的增益。固体曲线是最好的管接头与 P 0 = 3.91 × 10 − 8 Wcm − 2 和 n = 1.05。我们的数据也同意在相对高的激励强度、 高增益出现 10 4 理论。该设备的响应率的计算方法是需要 10 4 AW − 1，作为激发强度低作为 10 − 5 Wcm − 2。在较低的励磁强度 （P → 0），我们预测，增益可以高达 10 7。要与氧化锌纳米线的性能比较

結果 (中文) 2:

图4示出了增益作为激发强度的函数，相对于理论。实曲线与P 0的最佳拟合= 3.91×10 - 8 WCM - 2和n = 1.05。我们的数据吻合的理论在相对高激发强度，表现出高达10 4高增益。和该装置的响应被计算为在10 4 AW顺序 - 1，用激发强度低至10 - 5 WCM - 2。在一个较低的激励强度（P→0），我们预测的增益可以高达10 7。与氧化锌纳米线的性能比较

結果 (中文) 3:

图4显示了增益作为激发光强度的函数，相对于理论。固体曲线与P 0 = 3.91×10−8 WCM−2和n = 1.05的最佳拟合。我们的数据与在相对高的激发强度理论相吻合，显示出高增益高达10 4。和器件的响应度的计算方法是在10 4 AW−1阶，随着激发强度低10−5 WCM−2。在低激发强度（P→0），我们预测的增益可以作为高10 7。与ZnO纳米线的性能比较