This paper addresses plasma etch pr

This paper addresses plasma etch properties as they relate to polymer type and etch gas composition. Polyacrylate,polyester, and polymers containing nitrogen and halogens have been investigated. The research was carried out by aseries of designs of experiments (DOEs), which varied the flow rate of Ar, CF4, and O2 in plasma gas. The selectivity ofBARC to resist depends not only on the carbon content but also on the different ways polymer compositions andstructures respond to an oxidizing gas, a reducing gas, and plasma bombardment. Based on a polymer decompositionmechanism, we discuss what could happen physically and chemically during the polymer’s exposure to the high-energyreactive plasmas. We also modified the Ohnishi parameter for the polymers containing nitrogen and halogen using ourpolymer decomposition theory. The contribution of nitrogen and halogen in the etch equation can be positive ornegative depending on the chemical properties of the plasma.

結果 (繁體中文) 1:

本文地址等離子體蝕刻性能，因為它們與聚合物的類型和蝕刻氣體組合物。聚丙烯酸酯，
聚酯，和含氮聚合物和鹵素進行了研究。該研究是由一個進行
一系列實驗（是否），該變化的Ar，CF 4和O 2的流速等離子氣體中的設計。的選擇性
BARC抵抗不僅取決於碳含量，還對不同的方式的聚合物組合物和
結構，以氧化性氣體，還原性氣體，和等離子體轟擊響應。基於聚合物分解
機制，我們討論什麼可以在聚合物的暴露於高能量過程中的物理和化學發生
反應等離子體。我們還修改為使用我們的含有氮和鹵素聚合物的大西參數
聚合物分解的理論。氮和鹵素中的蝕刻方程的貢獻可以是正的或
根據等離子體的化學性質負。

結果 (繁體中文) 2:

本文討論了等離子體蝕刻特性，因為它們與聚合物類型和蝕刻氣體成分有關。聚 丙烯酸 酯
聚酯和含有氮和鹵素的聚合物已被調查。這項研究是由
一系列實驗設計（DOEs），它改變了等離子氣體中Ar、CF4和O2的流速。選擇性
BARC 的抗性不僅取決於碳含量，還取決於聚合物成分的不同方式和
結構對氧化氣體、還原氣體和等離子體轟擊作出反應。基於聚合物分解
機制，我們討論在聚合物暴露于高能過程中物理和化學上會發生什麼
反應等離子體。我們還修改了含有氮和鹵素的聚合物的 Ohnishi 參數，使用我們的
聚合物分解理論。氮和鹵素在蝕刻方程中的貢獻可以是正的，也可以是正的或
負，具體取決於等離子體的化學性質。

結果 (繁體中文) 3:

本文討論了與聚合物類型和蝕刻氣體成分有關的电浆蝕刻特性。聚丙烯酸酯，
研究了聚酯、含氮和鹵素的聚合物。這項研究是由
一系列的實驗設計，改變了Ar，CF4和O2在电浆氣體中的流量。選擇性
BARC的抗蝕性不僅取決於碳含量，還取決於聚合物組成和
結構對氧化氣體、還原氣體和电浆轟擊作出反應。基於聚合物分解
機理，我們討論了聚合物在高能環境中的物理和化學反應
反應性电浆。我們還修改了含氮和鹵素聚合物的Ohnishi參數
聚合物分解理論。蝕刻方程式中氮和鹵素的貢獻可以是正的或
取決於电浆的化學性質。