The Group 4A elements carbon (an in

The Group 4A elements carbon (an insulator, in the diamond form), silicon, and germanium (semiconductors) have similar structures. Each atom is surrounded by four other atoms at the corners of a tetrahedron (Figure 12.16). Typically, we would represent the bond- ing in these elements using a localized bond model. However, the band model for bonding can also be used with advantage to explain the conductivity of these elements. In the band model, the valence orbitals (the ns and np orbitals) of each atom are combined to form molecular orbitals that are delocalized over the solid. However, unlike metals where there is a continuous band of molecular orbitals, in semiconductors there are two distinct bands, a lower-energy valence band and a higher-energy conduction band, separated by a band gap [Figure 12.14, right, and Figure 12.17]. In the Group 4A elements, the orbitals of the valence band are completely filled and the conduction band is empty. The band gap is an energy barrier to the promotion of electrons from the valence band to the higher-energy conduction band.

結果 (繁體中文) 1:

4A族元素碳（絕緣體，在鑽石形式），矽，和鍺（半導體）具有類似的結構。每個原子通過在四面體的拐角處的四個其它原子（圖12.16）包圍。通常情況下，我們將使用的本地化的鍵模型表示這些元素的成鍵ING。然而，對於粘接帶模型也可有利地用於解釋這些元素的導電性。在帶模型，各原子的化合價軌道（的NS和NP軌道）被組合以形成離域在固體分子軌道。然而，與金屬，其中有分子軌道的一個連續帶，在半導體有兩種不同的條帶，一個低能量價帶和較高的能量導帶，由帶隙[圖12.14，右，和圖12.17中分離]。在4A族元素，價帶的軌道被完全填充和導帶是空的。帶隙的能量勢壘，以促進從價帶向更高能量的導帶電子的。

結果 (繁體中文) 2:

組 4A 元素碳（以金剛石形式為絕緣體）、矽和鈦（半導體）具有類似的結構。每個原子被四面體角的其他四個原子包圍（圖12.16）。通常，我們將使用當地語系化的綁定模型表示這些元素中的綁定。然而，用於粘接的帶模型也可以利用優勢來解釋這些元件的電導率。在波段模型中，每個原子的價軌道（ns和np軌道）被組合成分子軌道，在固體上去位化。然而，與分子軌道連續帶的金屬不同，在半導體中有兩個不同的波段，一個低能量價帶和一個高能量傳導帶，由帶隙隔開[圖12.14，右圖和圖12.17]。在組 4A 元素中，價帶的軌道完全填充，傳導帶為空。帶隙是推動電子從價帶到高能量傳導帶的能量屏障。

結果 (繁體中文) 3:

4A族元素碳（絕緣體，呈菱形）、矽和鍺（電晶體）具有類似的結構。每一個原子在四面體的角上被另外四個原子包圍（圖12.16）。通常，我們會用局域鍵模型來表示這些元素中的鍵合。然而，鍵合的能帶模型也可以用來解釋這些元素的導電性。在能帶模型中，每個原子的價軌道（ns軌道和np軌道）結合起來形成分子軌道，這些軌道在固體上是非定域的。然而，不同於金屬中存在連續的分子軌道帶，在電晶體中有兩個不同的帶，一個較低的能量價帶和一個較高的能量傳導帶，由帶隙隔開[圖12.14，右，和圖12.17]。在4A族元素中，價帶軌道完全填滿，導帶為空。帶隙是電子從價帶向更高能量傳導帶的能量屏障。