[0015]In a further embodiment of th

[0015]In a further embodiment of the invention, the sensor elements are resistance-changing magnetic sensor elements. Such sensor elements employ resistance changes caused by outer portions of the magnetic field of the permanent magnet. Such resistance changes are simple to detect on the basis of resulting current changes and can readily be further processed. For example, this can be realized by using a Wheatstone bridge. The magnetic sensor elements which change their resistance have a greater sensitivity than Hall-sensors.

結果 (繁體中文) 1:

[0015]在本發明的另一實施例中，傳感器元件是電阻變化的磁傳感器元件。這樣的傳感器元件採用電阻變化由永久磁鐵的磁場的外部部分引起的。這種電阻變化是簡單的結果電流的變化的基礎上檢測並可以容易地進一步處理。例如，這可以通過使用惠斯通電橋來實現。改變它們的電阻，磁傳感器元件具有比霍爾傳感器更大的靈敏度。

結果 (繁體中文) 2:

[0015]在本發明的進一步實施例中，感應器元件是電阻變化的磁性感應器元件。這種感應器元件採用由永磁體磁場外部部分引起的電阻變化。這種電阻變化根據產生的電流變化易於檢測，並可輕鬆進一步處理。例如，這可以通過使用惠斯通橋來實現。改變電阻的磁性感應器元件比霍爾感應器具有更高的靈敏度。

結果 (繁體中文) 3:

[0015]在本發明的另一實施例中，感測器元件是電阻變化的磁性感測器元件。這種感測器元件利用由永磁體磁場的外部部分引起的電阻變化。這種電阻變化很容易根據所產生的電流變化來檢測，並且可以容易地進一步處理。例如，這可以通過使用惠斯通電橋來實現。改變電阻的磁感測器元件比霍爾感測器具有更高的靈敏度。