To eliminate possible artifacts fro

To eliminate possible artifacts from the gate hysteresis, all of the resistance-voltage curves were acquired on the same measurement cycle while we scanned the bias from positive to negative values. As we see in Figure 2 a, the charge neutrality point (CNP) was initially at 18 V, shown by curve 1, due to the doping effects from the air and substrate. After we placed ZnO QDs on the device, the CNP was shifted to about 8 V, as shown by curve 2, consistent with a slightly higher working function of ZnO QDs compared to graphene, and the carrier mobility was slightly decreased from 3600 cm 2 V . 1 s . 1 to 3000 cm 2 V . 1 s . 1 due to the disorder introduced by the QDs.

結果 (中文) 1:

要消除可能人工制品从门迟滞，所有的电阻电压曲线，获得上相同的测量周期我们扫描偏从积极为负值时。正如我们在图 2 中所看到、 电荷中立点 (CNP) 最初是在 18 V，由掺杂的影响从空气和基体曲线 1，所示。我们在设备上放置 ZnO 油溶性量子点之后CNP 被转移了到约 8 V，如图所示的曲线 2，符合的 ZnO 油溶性量子点略高工作函数相比，石墨烯，和承运人的流动从 3600 厘米 2 V 略有减少。1 s。1 到 3000 cm 2 V。1 s。1 由于介绍的油溶性量子点的紊乱。

結果 (中文) 2:

以消除来自栅极滞后可能的工件，所有的电阻 - 电压曲线上获得相同的测量周期，同时我们扫描偏置从正到负的值。如我们在图2中看到，电荷中性点（CNP）最初是在18 V，由曲线1所示，由于从空气和衬底的掺杂效应。以后我们放置的ZnO量子点的设备上，对CNP被转移至大约8伏，如由曲线2，具有略高的工作的ZnO量子点的功能相比，石墨烯，和载流子迁移一致的略微从3600厘米减少2 V 。1秒。1至3000厘米2 V。1秒。1，由于由量子点引入的障碍。

結果 (中文) 3:

消除从栅极滞后可能的文物，所有的电阻电压曲线上获得相同的测量周期，我们扫描偏压从正到负的值。如图2一看到我们，电荷中性点（CNP）最初是在18 V，1所示的曲线，由于掺杂效应从空气和衬底。我们把ZnO量子点的装置后，CNP被转移到8 V，如曲线2，稍高的工作函数的ZnO量子点相比，石墨烯的一致性，和载流子迁移率略有下降，从3600厘米2 V。1的。1至3000厘米的2 V。1的。1由于无序的量子点介绍。