A 23factorial design was used to de

A 23factorial design was used to develop a nitride etchprocess on a single-wafer plasma etching tool. The designfactors are the gap between the electrodes, the gas flo(C2F6is used as the reactant gas), and the RF powerapplied to the cathode (see Figure 3.1 for a schematic ofthe plasma etch tool). Each factor is run at two levels, andthe design is replicated twice. The response variable is theetch rate for silicon nitride (m). The etch rate data areshown in Table 6.4, and the design is shown geometricallyin Figure 6.6.

結果 (繁體中文) 1:

A 23

，使用因子設計開發一種氮化物蝕刻
在單晶片等離子體蝕刻工具的過程。設計
因素是電極之間的間隙中，氣體FLO

（C2F6
被用作反應氣體），和RF功率
施加到陰極（參見圖3.1的示意性
的等離子體蝕刻工具）。每一個因素是在兩個層次上運行，
設計被複製了兩次。響應變量是
為氮化矽（米）蝕刻速率。的蝕刻速率數據
示於表6.4，並且在幾何形狀上所示的設計
圖6.6。

結果 (繁體中文) 2:

A 23

因數設計用於開發氮化物蝕刻
在單晶圓等離子蝕刻工具上加工。設計
因數是電極之間的間隙， 氣體浮

（C2F6
用作反應氣體），以及射頻功率
應用於陰極（參見圖 3.1，瞭解
等離子蝕刻工具）。每個因數在兩個級別上運行，並且
設計複製兩次。回應變數是
氮化矽（m）的蝕刻速率。蝕刻速率資料是
表 6.4 所示，設計以幾何方式顯示
如圖 6.6 所示。

結果 (繁體中文) 3:

A 23
採用析因設計法研製了一種氮化物刻蝕工藝
單晶片电浆刻蝕工具上的工藝。設計
因素是電極之間的間隙，氣體的流動
（C2F6型
用作反應氣體）和射頻功率
應用於陰極（參見圖3.1瞭解
等離子蝕刻工具）。每一個因素在兩個層次上運行，並且
這個設計複製了兩次。響應變數是
氮化矽的刻蝕速率（m）。蝕刻速率數據是
如錶6.4所示，設計以幾何管道顯示
如圖6.6所示。