Once the electrons of ZnO QDs are t

Once the electrons of ZnO QDs are transferred to graphene, they can recirculate in the graphene channel within the lifetime. If the lifetime is long enough, it forms a gain system which could be utilized as highly sensitive light detectors or sensors. To determine the lifetime of the transferred electrons, we switched on and off the laser alternatively to measure the changes in the electronic characteristics. All the measurements are conducted at V G = 0 V to remove the artifacts of the gate-voltage introduced molecule adsorption/desorption. [ 27 ] The source-drain voltage V DS is set to be 1 mV. As shown in Figure 2 d, when the device is exposed to air, during UV light irradiation (325, air), an increase of the sourcedrain current is observed, confi rming that electrons were transferred from the QDs to graphene. After the UV light is switched off, the current drops to its original level. From the falling edge of the curve, we get the carriers’ lifetime τ by fi tting it with an exponential function exp(-t/ τ ) and obtain τ = 5 s, as shown in the top inset in Figure 2 d. This approach has been widely used and proved to be an effi cient way to determine the carriers’ lifetime. [ 21 , 22 , 26 ] Then we put the device in the vacuum condition with 325 nm laser irradiation (325, VA), and in air with 445 nm laser (445, air). As expected, the device has no noticeable response when we switch on and off the light, as shown in Figure 2 d.

結果 (中文) 1:

一旦 ZnO 油溶性量子点的电子转移到石墨烯，他们可以重新分发在石墨烯通道在生存期内。如果生存期是足够长的时间，它形成一个增益系统，可以利用作为高度敏感的光探测器或传感器。要确定的转移电子的生存期我们切换上并关闭激光或者来测量电子特性的变化。所有测量都进行 V g = 0 V 要删除的门电压引入分子吸附解吸的工件。[27] 源-漏极电压 V DS 设置为 1 mV。如图所示在图 2 中 d，当该设备暴露在空气中，在紫外线光照射 (325，空气)，期间增加当前 sourcedrain 观察到，电子从油溶性量子点转给了石墨烯的仲裁胜诉。UV 灯关掉后，当前下降到原来的水平。从曲线的下降边缘，我们得到的运营商的生存期 τ 由顶住它与指数函数 exp (-t/τ) 和获得 τ = 5 s，顶部镶嵌图 2 d 中所示。这种方法已被广泛用于或证明是效率 3 熟练掌握方法，以确定的运营商的生存期。[21、 22、 26]然后我们把该设备在真空条件下 325 nm 激光照射 （325，弗吉尼亚州），和 445 nm 激光 (445，空气) 空气中。如所料，该设备具有没有明显反应时我们切换打开和关闭光，图 2 d 中所示。

結果 (中文) 2:

一次的ZnO量子点的电子被转移到石墨烯，它们可以在石墨烯沟道的寿命内再循环。如果寿命是足够长的时间，形成可被用作非常敏感的光检测器或传感器的增益的系统。来确定所传送的电子的寿命，我们接通和关断激光交替测量中的变化电学特性。所有的测量均在VG = 0 V进行，以除去所述栅极电压引入分子的吸附/解吸的工件。[27]该源极 - 漏极电压V DS被设定为1毫伏。如图2天，当该设备是UV光照射（325，空气）在暴露于空气中，增加了sourcedrain当前的观察，即电子被从量子点转移到石墨烯的置信中最差。后在UV光被切断时，电流下降到原来的水平。从曲线的下降沿，我们得到了运营商的寿命τ为fi拟合其与指数函数EXP（-T /τ），并得到τ= 5秒，如图中顶部边界在图2 D。这种方法已被广泛使用，并证明是一个的effi古的方法来确定运营商的寿命。[21，22，26]然后，我们把设备在真空条件下用325 nm的激光照射（325，VA），并在空气中445 nm激光（445，空气）。正如预期的那样，该设备具有没有明显的反应时，我们打开和关闭的光，如图2天。

結果 (中文) 3:

一旦ZnO量子点的电子转移到石墨烯，他们可以再循环在一生的石墨烯通道。如果时间足够长，它形成了一个可以用作高度敏感的光检测器、传感器增益系统。确定转移电子的寿命，我们打开和关闭激光或者测量电子特性的变化。所有的测量进行了在V G = 0 V去除栅极电压引入分子的吸附/解吸的文物。[ 27 ]源漏电压V DS为1 MV。如图2显示，当设备被暴露在空气中，在UV光照射（325，空气），观察到的sourcedrain电流增加，信心rming，电子被从量子点转移到石墨烯。在紫外灯关闭，原来的水平的电流下降。从曲线的下降沿，我们得到的载流子寿命的τ适合这一指数函数exp（T /τ）和获得τ= 5，如图2中所示的顶部插入D.这种方法已被广泛应用并被证明是一种有效的方法来确定载流子寿命。[ 21，22，26 ]然后把装置在真空条件下用325 nm激光照射（325，VA），并在空气中与445 nm激光（445，空气）。正如预期的那样，该设备没有明显的反应，当我们打开和关闭的灯，如图2所示