The intensity of the adhesive marks

The intensity of the adhesive marks at the chip undersides can be used as an indication of theseverity of the adhesive wear mechanism [36]. However, selected chip underside micrographs werepresented in Figure 10. At 250 m/min, the intensity of the adhesive marks on the chip undersideproduced by CC620 was less than the intensity of these marks on the chip underside produced byCC650. At 700 m/min, CC650 produced less intense adhesive marks than CC620. The results deducedfrom Figure 10 are in agreement with the results obtained from the chip compression ratio curvespresented in Figure 9 and the wear curves in Figures 3 and 5.

結果 (繁體中文) 1:

在芯片下側的粘接劑標記的強度可以被用作的指示
的粘著磨損機制[36]的嚴重程度。然而，選擇的芯片側顯微照片
在圖10中呈現在250米/分，在芯片側上的粘接劑的標記的強度
由CC620產生小於上通過所產生的芯片側這些標記的強度
CC650。在700米/分鐘，CC650產生了比CC620不太強烈的粘合劑的痕跡。推導出的結果
從圖10是與從芯片壓縮比曲線獲得的結果是一致的
在圖9中呈現的和在圖3和5的磨損曲線。

結果 (繁體中文) 2:

晶片底面的粘合標記的強度可用作
膠粘劑磨損機構的嚴重程度 [36]。然而，選定的晶片底面顯微圖
如圖 10 所示。在 250 m/min 時，晶片底面上的粘合標記強度
CC620 產生的強度小於這些標記的強度在晶片底面生產
CC650.CC650 的粘接標記速度為 700 m/min，其粘接標記強度低於 CC620。結果推導
從圖10中與從晶片壓縮比曲線得到的結果一致
如圖 9 所示，圖 3 和圖 5 中的磨損曲線。

結果 (繁體中文) 3:

晶片底部的粘著標記强度可作為
粘著磨損機制的嚴重性[36]。然而，選定的晶片底面顯微照片
如圖10所示。在250 m/min時，晶片底面上的粘著痕迹的强度
由CC620生產的，比由
CC650號。在700 m/min時，CC650產生的粘合痕强度低於CC620。得出的結果
圖10與晶片壓縮比曲線的結果一致
如圖9所示，磨損曲線如圖3和5所示。