The etch chemistry used for the SiC

The etch chemistry used for the SiC etch is composed of SF6 / O2 / He. An aggressive wet chemistry clean plus hard-mask removal and subsequent Ar-based plasma treatment enables effective removal of the byproducts limiting micro-masking during the GaN-based epitaxy layer etch

結果 (繁體中文) 1:

用於 SiC 蝕刻的蝕刻化學物質由 SF6 / O2 / He 組成。積極的濕化學清潔加上硬掩模去除和隨後的基於氬的等離子體處理能夠有效去除在基於 GaN 的外延層蝕刻期間限制微掩模的副產物

結果 (繁體中文) 2:

用於SiC蝕刻的蝕刻化學物質由SF6/O2/He組成。 積極的濕化學清潔加上硬掩模去除和隨後的基於Ar的电浆處理能够有效去除限制GaN基外延層蝕刻期間的微掩模的副產物

結果 (繁體中文) 3:

用於SiC蝕刻的蝕刻化學物質由SF6 / O2 / He組成。積極的溼法化學清洗加上硬掩模去除和隨後的基於Ar的等離子體處理能夠有效去除在基於GaN的外延層蝕刻期間限製微掩蔽的副産物