In addition, the energy-spectrum sc

In addition, the energy-spectrum scanning picture of every single element was illustrated in Figure 5. The element content of Zr in the outer side of zirconia substrate (Area A) was 78.78 wt%, and was slightly reduced to 74.96 wt% in the bonding interface (Area C). Besides, Zr contents were detected to be 12.19 wt% and 3.89% in the bonding porcelain layer (Area D) and the veneering porcelain layer (Area E), respectively. The element content of Si in the veneering porcelain layer (Area E) was 43.03%, and it decreased to be 39.21% in the bonding porcelain layer (Area D). Besides, small amounts of element Si were detected both in the bonding interface (Area C) and zirconia substrate (Areas A and B), indicating the diffusion of Si occurred in the zirconia matrix after pre-sintering process. The chemical bonding was confirmed by element diffusion phenomenon, and it was beneficial in the increasing of bonding strength between zirconia and veneering porcelain.

結果 (繁體中文) 1:

此外，每一個元件的能量譜掃描圖像在圖5中被示出的Zr的氧化鋯基板的外側（區域A）中的元素的含量為78.78％（重量），並且在略微降低至74.96％（重量）鍵合界面（區域C）。此外，檢測到的Zr含量分別為12.19％（重量）和在接合瓷層（區域d）3.89％和飾面瓷層（區域E），。Si在所述飾面瓷層（區域E）的元素含量為43.03％，並且它降低到在接合瓷層（區域d）39.21％。此外，檢測到少量的Si元素的無論是在鍵合界面（區域C）和氧化鋯基板（區域A和B），表明Si的擴散發生在氧化鋯基體預燒結過程之後。

結果 (繁體中文) 2:

此外，圖5還說明了每個元素的能量譜掃描圖。紫石基板（區域A）外側Zr的元件含量為78.78wt%，在粘接介面（區域C）中略降至74.96wt%。此外，在粘接瓷層（D區）和貼面瓷層（E區）分別檢測出Zr含量分別為12.19wt%和3.89%。貼花瓷層（E區）的Si元素含量為43.03%，粘接瓷層（D區）的Si元素含量為39.21%。此外，在粘接介面（區域C）和氧化矽基板（區域A和B）中檢測到少量元素Si，表明在燒結過程後，Si在氧化鋁基質中發生擴散。該化學鍵合通過元素擴散現象得到確認，有利於提高氧化矽與貼花瓷之間的粘結強度。

結果 (繁體中文) 3:

此外，圖5顯示了每個元素的能譜掃描圖。Zr在zro2基片（A區）外側的含量為78.78wt%，在結合介面（C區）的含量略降至74.96wt%。結合瓷層（D區）和貼面瓷層（E區）的Zr含量分別為12.19wt%和3.89%。貼面瓷層（E區）Si元素含量為43.03%，結合瓷層（D區）Si元素含量下降為39.21%。此外，在結合介面（C區）和氧化鋯基體（A區和B區）均檢測到少量Si元素，表明Si在預燒結後的氧化鋯基體中發生了擴散。元素擴散現象證實了氧化鋯與飾面瓷的化學結合，有利於提高氧化鋯與飾面瓷的結合强度。