Our ab initio calculations reveal a

Our ab initio calculations reveal a rather flat sheet of relaxed borophene with a z corrugation of only 0.43 Å, consistent with prior theoretically investigated structures on Cu(111) with smaller unit cells13,27. The average B–B bond length is 1.72 Å, with a spread of < 0.2 Å, and we found that the sheet on Cu(111) is under anisotro-pic, ~4% on average, tensile strain compared to the correspond-ing structure relaxed in vacuum. More details on other borophene structures we investigated are given in Supplementary Section 4. We investigated the film–substrate interaction, a relevant parameter for prospective sheet transfer and device fabrication (Fig. 5). The cal-culations show that our borophene structure in Fig. 4 is electron doped via charge transfer with no significant covalent bonding. The value of η = 1/5 can be understood if one takes into account that the self-doping mechanism3,28 in conjunction with the electron transfer from Cu to B is expected to increase η above η ≈ 1/9 (the maximum stability for isolated sheets). Our experimental findings are generally in agreement with the predicted behaviour of 2D boron on Cu(111) surfaces13,27 and confirm the predictive power and capabilities of ab initio calculations to guide future choices of material substrates for the structural and electronic engineering of 2D sheets of borophene.

結果 (繁體中文) 1:

我們的從頭計算揭示輕鬆borophene的只有0.43埃，與現有理論研究的結構一致對Cu（111）的z波紋具有較小單元cells13,27一個相當平坦的片材。平均B-B鍵長為1.72埃，與<0.2埃的擴散，我們發現，在Cu（111）的片材是anisotro-PIC下，〜4％的平均值，拉伸應變相比，對應-ING結構放寬在真空中。上我們調查其他borophene結構的更多細節，補充部分4中給出我們研究了膜 - 底物相互作用，為未來的遞紙和裝置製造（圖5）的相關參數。在CAL-culations表明，我們的在圖4中borophene結構通過無顯著共價結合電荷轉移電子摻雜。如果人們考慮到，在與由Cu電子轉移到B一起自摻雜mechanism3,28預計將增加η上述η≈1/9（對於最大的穩定性，可以理解η= 1/5的值分離的片材）。我們的實驗結果一般是在與所預測的2D硼對Cu（111）的行為surfaces13,27協議和確認的預測能力和initio計算Ab的功能，以引導材料基板的未來選擇為二維片材的結構和電子工程borophene。

結果 (繁體中文) 2:

我們的 ab initio 計算顯示，一塊相當平坦的寬鬆硼化物表，z 波紋僅為 0.43 Ω，與之前在 Cu（111） 上具有較小單元單元13，27的構造理論調查的結構一致。平均B+B鍵長度為1.72 Ω，差幅為±0.2 Ω，我們發現Cu（111）上的板材在雙象片下，平均為±4%，與真空中放鬆的對應結構相比，拉伸應變。我們調查的關於其他博羅芬結構的更多詳細資訊見補充第 4 節。我們研究了薄膜與基板相互作用，這是未來板材轉移和設備製造的相關參數（圖5）。計算表明，圖4中的硼苯結構是通過電荷轉移進行電子摻雜的，沒有顯著的共價鍵合。如果考慮到自摻興奮劑機制3，28 與從 Cu 到 B 的電子傳輸一起，預計增加 ± = = 1/9（隔離板的最大穩定性），則可以理解 α = 1/5 的值。我們的實驗結果通常與Cu（111）表面2D硼的預測行為一致13，27，並證實了ab initio計算的預測能力和能力，以指導未來對2D硼板結構和電子工程材料基板的選擇。

結果 (繁體中文) 3:

我們的從頭計算揭示了一個非常平坦的弛豫硼芬片，其z波紋僅為0.43Å，這與先前理論研究的組織胞數較小的Cu（111）上的結構13,27一致。平均B-B鍵長為1.72Å，擴散<0.2Å，發現Cu（111）上的薄板與相應的真空鬆弛結構相比，平均拉伸應變約為4%。關於我們研究的其他硼結構的更多細節在補充部分4中給出。我們研究了薄膜-基底相互作用，這是一個用於預期的片材轉移和器件製造的相關參數（圖5）。計算結果表明，圖4中的硼酚結構是通過電荷轉移摻雜的，沒有明顯的共價鍵。如果考慮到自摻雜機制3,28以及從Cu到B的電子轉移預計將使η新增到大於η≈1/9（隔離片的最大穩定性），則可以理解η=1/5的值。我們的實驗結果與二維硼在Cu（111）表面上的預測行為13,27基本一致，並證實了從頭計算的預測能力和能力，以指導今後在結構和電子工程中對資料基底的選擇。