The second paper, by Koh et al. and

The second paper, by Koh et al. and published by SPIE in 2002, studied the plasma etch properties of fluorinecontaining polymers in Ar/C4F8/O2 (400/11/8) etch. A positive NF was added in the equation (6) to fit their data [9].When more than one gas is in the plasma chamber, many species are generated in the gas phase. The total result could vary depending on the gas ratio and other plasma condition. Although the plasma gas in this paper was a mixture of C4F8/O2 at ratio of 11/8, the plasma in the gas phase is still dominated by O2 plasma. The fluorine in the polymer is aslow-etch material in this oxidizing environment. The number of fluorine atoms in the etch equation should be positive

結果 (繁體中文) 1:

第二篇論文，由Koh等人 並通過SPIE 2002年出版的，研究了在氬氣/ C4F8 / O2（400/11/8）蝕刻含氟聚合物的等離子體蝕刻特性。正的NF是在等式（6）中加入以滿足他們的數據[10]。當一個以上的氣體是在等離子體室中，在氣相中產生的許多物種。總結果可能取決於氣體比和其它等離子體條件而變化。儘管在本文中所述等離子體氣體為C 4 F 8 / O 2的混合物以11/8的比例，在氣相中的等離子體仍然由O 2等離子體主導。在聚合物中的氟是
在此氧化環境緩慢蝕刻材料。氟原子的刻蝕方程中的數量應為正

結果 (繁體中文) 2:

第二篇論文由Koh等人撰寫，由SPIE于2002年發表，研究了Ar/C4F8/O2（400/11/8）蝕刻中含氟聚合物的等離子蝕刻特性。在方程 （6） 中添加了正 NF 以適合其資料 [9]。當等離子體室中存在多個氣體時，許多物種在氣相中產生。總結果可能因氣體比和其他等離子體條件而異。雖然本文中的等離子氣體是C4F8/O2的混合物，比例為11/8，但氣相中的等離子體仍以O2等離子體為主。聚合物中的氟是
在此氧化環境中的慢蝕材料。蝕刻方程中的氟原子數量應為正數

結果 (繁體中文) 3:

第二篇論文，作者Koh等人。2002年由SPIE出版，研究了含氟聚合物在Ar/C4F8/O2（400/11/8）刻蝕中的电浆刻蝕效能。在方程（6）中加入正NF以擬合其數據[9]，當电浆室中存在多個氣體時，氣相中會生成許多物種。總的結果可能會因氣體比和其他电浆條件而有所不同。雖然本文中的电浆氣體是C4F8/O2的混合物，比例為11/8，但氣相中的电浆仍以O2电浆為主。聚合物中的氟是
在這種氧化環境中緩慢腐蝕資料。蝕刻方程式中的氟原子數應為正