The polymers tested in this study w

The polymers tested in this study were synthesized at Brewer Science, Inc. The BARC formulations were made by blending polymers, crosslinkers, catalysts, and other additives. All materials are protected by patents or are covered in previous technical publications. BARC1 is a polyacrylate matrial; BARC2 is an isocyanurate material; BARC3 is polyester with isocyanurate in main chain. The formulations were coated on silicon wafers and baked at 205°C to cure the films. The resist used in this research is a commercial available polyacrylate material. The thicknesses weremeasured on Variable-angle Spectroscopic Ellipsometer (VASE), model M2000, made by J.A. Woollam Co.The etcher used in this study was an Oxford Plasmalab® 80 Plus reactive ion etching (RIE) system. All experiments described here were carried out in discharges maintained at a source power of 200 watts and a pressure of 50 mtorr. A constant gas flow rate of 50 sccm for CF4, O2, Ar, or mixtures thereof was injected in the discharge region. Wafers were mounted on the chuck, etched for 30-60 seconds. The cooling system kept the wafer temperature at 25°C.

結果 (繁體中文) 1:

在本研究中測試的聚合物在布魯爾科技合成公司的BARC製劑通過混合聚合物，交聯劑，催化劑和其它添加劑製成。所有材料都受專利保護或覆蓋在以前的技術出版物。BARC1是聚丙烯酸酯matrial; BARC2是異氰脲酸酯材料; BARC3是聚酯與主鏈異氰脲酸酯。把這些配方塗佈在矽晶片上並在205℃烘烤以固化該膜。在本研究中使用的抗蝕劑是一種市售的聚丙烯材料。厚度分別為
變角橢圓偏振光譜儀（VASE）測量，模型M2000，由JA Woollam Co.The製成在該研究中使用的蝕刻是牛津Plasmalab®80加反應性離子蝕刻（RIE）系統。這裡描述的所有實驗均在保持在200瓦的源功率和50毫托的壓力下放電下進行。為50sccm為CF4，O2，Ar或它們的混合物是在放電區域注入的恆定氣體流速。晶片安裝在卡盤，蝕刻30-60秒。冷卻系統保持晶片溫度在25℃。

結果 (繁體中文) 2:

本研究中測試的聚合物是在布魯爾科學公司合成的。BARC 配方由混合聚合物、交聯劑、催化劑和其他添加劑製成。所有材料均受專利保護，或涵蓋在以前的技術出版物中。BARC1是一種多晶丙烯酸酯;BARC2是一種異氰酸酯材料;BARC3是聚酯，在主鏈中具有異氰酸酯。配方塗在矽片上，在205°C烘烤，以固化薄膜。本研究中使用的電阻是一種商用聚丙烯酸鹽材料。厚度是
在由J.A.Woollam Co.製造的M2000型號的可變角度光譜橢圓儀（VASE）上測量的蝕刻器是牛津等離子體實驗室®80加反應電子蝕刻（RIE）系統。這裡描述的所有實驗都是在200瓦的源功率和50兆托器壓力下進行的。在放電區注入CF4、O2、Ar或其混合物的恒定氣體流速為50 sccm。晶圓安裝在夾頭上，蝕刻了30-60秒。冷卻系統將晶圓溫度保持在25°C。

結果 (繁體中文) 3:

本研究中測試的聚合物是在Brewer Science，Inc.合成的。BARC配方是通過混合聚合物、交聯劑、催化劑和其他添加劑製成的。所有資料均受專利保護或包含在以前的科技出版品中。BARC1為聚丙烯酸酯基體；BARC2為异氰尿酸鹽資料；BARC3為主鏈為异氰尿酸鹽的聚酯。將配方塗覆在矽片上並在205℃下烘烤以固化薄膜。本研究中使用的抗蝕劑是一種商用聚丙烯酸酯資料。厚度是
在J.A.Woollam公司製造的M2000型可變角度橢圓偏振光譜儀（VASE）上量測。本研究中使用的蝕刻機是牛津Plasmalab®80+反應離子蝕刻（RIE）系統。這裡描述的所有實驗都是在電源功率為200瓦、氣壓為50米的放電中進行的。對CF4、O2、Ar或其混合物在放電區注入50 sccm的恒定氣體流量。矽片被安裝在卡盤上，蝕刻30-60秒。冷卻系統將晶圓溫度保持在25°C。