JEDEC Standard No. 51-4AIntroductio

JEDEC Standard No. 51-4AIntroduction Thermal Test Chips have three primary purposes in the area of semiconductor device packaging:1) To provide a well-defined structure for the generation of heat flux with built-in temperature sensor(s) that can be used to compare the thermal performance of semiconductor packages,2) To use the well-defined structure in a specific package for validating or calibrating thermal model simulations, and3) To provide a vehicle for thermal investigation of power topology mapping, power transient response, and complex packaging assemblies that would be difficult to accomplish using an application semiconductor device.-ii- JEDEC Standard No. 51-4APage 1THERMAL TEST CHIP GUIDELINE (WIRE BOND AND FLIP CHIP)(From JEDEC Board Ballot JCB-19-11, formulated under the cognizance of the JC-15 Committee on Thermal Characterization Techniques for Semiconductor Packages.)1 Scope The purpose of this document is to provide a design guideline for thermal test chips used for integrated circuit (IC) and transistor package thermal characterization and investigations. The intent of this guideline is to minimize the differences in data gathered due to nonstandard test chips and to provide a well-defined reference for thermal investigations.The thermal test chips described in this document will apply to single and multiple chip devices. These are designed using standard semiconductor wafer fabrication processes and can be used with a wide variety of industry standard packages. These test chips can operate in a static mode in which constant power is continuously supplied to the device while monitoring the temperature through the measurement of a Temperature Sensitive Parameter (TSP). They can also operate in a transient mode in which the power supply and the TSP are monitored as a function of time (t). This guideline covers test chips meant to be both wire bonded or flip chip bumped to the package external contacts.1.1 RationaleThe thermal resistance for a specific device varies with many factors. The chip size, location and size of the power dissipation element(s), and location of the temperature sensor(s) will directly affect the thermal test results. It is essential to standardize thermal test chip design guideline in order to provide meaningful measurement results. This allows semiconductor suppliers to compare different packages over a wide variety of conditions, such as power levels and air flows. It will also help the users to estimate their active device junction temperature under actual operating conditions by allowing them to

結果 (繁體中文) 1:

JEDEC標準號51-4A



介紹


熱測試芯片具有在半導體器件封裝的面積有三個主要目的：

1）提供一種用於熱通量的產生一個明確定義的結構，內置的溫度傳感器（S），可以是用於比較的半導體封裝的熱性能，

2）要使用明確定義的結構中的特定包用於驗證或校準熱模型模擬，和

3）為了用於功率拓撲映射的熱調查，功率瞬態響應提供一種車輛，和複雜的包裝組件，其將是難以實現利用應用的半導體器件。








































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JEDEC標準號51-4A
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熱測試芯片準則（引線鍵合和倒裝芯片）

（從JEDEC董事會投票JCB-19-11，在半導體封裝熱特性技術的JC-15委員會的認定下制定的。）


1範圍


本文件的目的是提供用於集成電路（IC）和晶體管封裝的熱表徵和調查熱試驗片的設計方針。意圖本準則的是最小化在收集的數據由於非標準測試芯片的差異，並提供一種用於熱調查定義明確的參考。

本文檔中描述的熱測試芯片將適用於單個或多個芯片設備。這些是使用標準半導體晶片製造工藝的設計，並且可以與多種工業標準封裝的使用。這些測試芯片可以在其中同時通過溫度的測定敏感的參數（TSP）監測溫度恆定功率被連續地供應到設備的靜態模式操作。它們還可以在其中電源和TSP作為時間（t）的函數進行監測瞬時模式下操作。該準則蓋測試芯片意味著是兩個線焊或倒裝片凸點至封裝的外部接觸。

1.1基本原理

針對特定設備的熱阻與許多因素而變化。芯片尺寸，位置和功率耗散元件的大小（S），並且所述溫度傳感器的位置（一個或多個）會直接影響到熱的測試結果。它以提供有意義的測量結果，以規範散熱測試芯片設計的指導原則是必不可少的。這允許半導體供應商不同的包在各種各樣的條件下，如功率水平和氣流比較。它也將幫助用戶，讓他們來估算實際運行條件下的有源器件的結溫

結果 (繁體中文) 2:

JEDEC 標準號 51-4A

介紹

熱測試晶片在半導體器件封裝領域有三個主要用途：

1） 為產生內置溫度感應器提供定義良好的結構，可用於比較半導體封裝的熱性能，

2） 使用特定封裝中定義良好的結構驗證或校準熱模型類比，以及

3） 為使用應用半導體器件難以完成的電力拓撲映射、電源瞬態回應和複雜封裝元件的熱調查提供工具。

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JEDEC 標準號 51-4A
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熱測試晶片指南（線鍵和翻轉晶片）

（從JEDEC董事會選票JCB-19-11，在JC-15半導體封裝熱特性技術委員會認定下制定。

1 範圍

本文檔旨在為用於積體電路 （IC） 和電晶體封裝的熱特性和調查提供熱測試晶片的設計指南。本指南的目的是儘量減少因非標準測試晶片而收集的資料差異，並為熱調查提供明確定義的參考。

本文檔中描述的熱測試晶片將應用於單晶片和多晶片器件。這些器件採用標準半導體晶圓製造工藝設計，可與各種行業標準封裝一起使用。這些測試晶片可以在靜態模式下工作，在靜態模式下，恒定功率持續提供給器件，同時通過溫度敏感參數 （TSP） 的測量來監控溫度。它們也可以在瞬態模式下工作，在瞬態模式下，電源和 TSP 作為時間 （t） 的函數進行監控。本指南涵蓋測試晶片，即線粘接或翻轉晶片碰撞到封裝外部觸點。

1.1 理由

特定器件的熱阻因多種因素而異。功耗元件的晶片尺寸、位置和尺寸以及溫度感應器的位置將直接影響熱測試結果。為了提供有意義的測量結果，對熱測試晶片設計指南進行標準化至關重要。這使得半導體供應商能夠在各種條件下比較不同的封裝，例如功率水準和氣流。它還可以説明使用者在實際工作條件下估計其活動設備結溫，允許他們

結果 (繁體中文) 3:

JEDEC第51-4A號標準
介紹
熱測試晶片在半導體器件封裝領域有三個主要用途：
1）為利用內寘溫度感測器（可用於比較電晶體封裝的熱效能）產生熱流提供定義明確的結構，
2）使用特定包中定義良好的結構來驗證或校準熱模型類比，以及
3）為功率拓撲映射、功率瞬態回應和複雜封裝組件的熱研究提供一種工具，而使用應用半導體器件很難實現。
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JEDEC第51-4A號標準
第1頁
熱測試晶片指南（引線鍵合和倒裝晶片）
（摘自JEDEC董事會投票JCB-19-11，由JC-15電晶體封裝熱特性技術委員會認可製定。）
1範圍
本檔案旨在為集成電路（IC）和電晶體封裝熱特性和研究用熱測試晶片提供設計指南。本指南的目的是儘量減少由於非標準測試晶片而收集的數據差异，並為熱研究提供明確的參攷。
本文所述的熱測試晶片將適用於單晶片和多晶片設備。這些晶片採用標準電晶體晶圓制造技術設計，可與多種工業標準封裝一起使用。這些測試晶片可以在靜態模式下工作，在這種模式下，通過量測溫度敏感參數（TSP）來監測溫度，同時持續向設備提供恒定功率。它們也可以在瞬態模式下運行，在這種模式下，電源和TSP作為時間（t）的函數進行監控。本指南涵蓋了測試晶片，測試晶片既可以是金屬絲粘合的，也可以是與封裝外部觸點相碰撞的倒裝晶片。
1.1基本原理
特定裝置的熱阻隨許多因素而變化。晶片尺寸、功耗元件的位置和尺寸以及溫度感測器的位置將直接影響熱測試結果。為了提供有意義的量測結果，必須規範熱測試晶片的設計準則。這使得電晶體供應商能够在各種條件下比較不同的封裝，例如功率水准和空氣流量。它還將幫助用戶在實際操作條件下估計其有源器件結溫，允許用戶