Plasma etching is an integral part

Plasma etching is an integral part of semiconductor integrated circuit (IC) processing and is widely used for a variety of applications such as high-resolution pattern definition, selective processing over topography, planarization, and sacrificial layers stripping. A plasma process that is used to transfer lithographically defined patterns into thin layers must satisfy constraints that include dimensional control, etch selectivity to mask, and the nature of the underlying surface or layer [1,2]. The behaviors of most inorganic materials used in semiconductor processing, such as silicon,polysilicon, silicon nitride, and silicon dioxide, have been well characterized. Their etching directionality and etching selectivity can be controlled by etch gas composition and other plasma conditions

結果 (繁體中文) 1:

等離子體蝕刻是一種處理半導體集成電路（IC）的一個組成部分，被廣泛用於各種應用，如高清晰度的圖案清晰度，過地形，平坦化選擇性處理，和犧牲層剝離。是，用於光刻限定圖案轉移成薄層必須滿足的約束，其包括尺寸控制，蝕刻選擇性掩模，和下面的表面或層[1,2]的性質的等離子體處理。在半導體處理中使用的大多數無機材料，如矽，多晶矽，氮化矽和二氧化矽的行為，已經被很好地表徵。其蝕刻方向性和蝕刻選擇性可通過蝕刻氣體組合物和其它等離子體條件來控制

結果 (繁體中文) 2:

等離子蝕刻是半導體積體電路 （IC） 處理的一個組成部分，廣泛用於各種應用，如高解析度圖案定義、地形選擇性處理、平面化和犧牲層剝離。用於將岩石定義的圖案轉換為薄層的等離子工藝必須滿足約束，包括尺寸控制、蝕刻選擇性以遮罩，以及底層表面或層的性質 [1，2]。半導體加工中大多數無機材料，如矽、多晶矽、氮化矽、二氧化矽等，其特性都得到了很好的描述。其蝕刻方向性和蝕刻選擇性可以通過蝕刻氣體成分和其他等離子體條件控制

結果 (繁體中文) 3:

电浆刻蝕是半導體積體電路（IC）加工的一個重要組成部分，廣泛應用於高解析度圖形定義、形貌選擇加工、平面化和犧牲層剝離等領域。用於將光刻定義的圖案轉移到薄層中的电浆過程必須滿足以下約束條件：尺寸控制、掩模的蝕刻選擇性以及下墊面或層的性質[1,2]。電晶體加工中使用的大多數無機資料，如矽、多晶矽、氮化矽和二氧化矽，其效能都得到了很好的表徵。它們的刻蝕方向性和刻蝕選擇性可由刻蝕氣體成分和其他电浆條件控制