With the development of advanced se

With the development of advanced semiconductor technology, the requirements for materials are pushed to be very specific and extreme. More and more new polymers are used in lithography and other areas, and some of these polymers contain elements other than C, H, and O, such as nitrogen, phosphorous, sulfur, fluorine, bromine, iodine, boron, silicon,and so on. These polymers have received much attention because of the unique functions that they can provide. TheOhnishi parameter is a basic function of polymer structure and plasma etch rate derived from sputtering yield and the composition of C, H, and O in a unit volume [3]. Much research has been done to study the etch properties of different new polymers, but no clear theory shows how to put atoms other than C, H, and O into the etch equation.

結果 (繁體中文) 1:

隨著先進的半導體技術的發展，對材料的要求都推到非常具體和極端。越來越多的新的聚合物在光刻等領域所使用的，和一些這些聚合物的含有除C，H，以及O以外的元素，例如氮，磷，硫，氟，溴，碘，硼，矽，等。這些聚合物已收到由於獨特的功能，他們可以提供很多的關注。的
大西參數是聚合物結構，並從濺射產量和C，H的組合物衍生的等離子體蝕刻速率，和O的以單位體積[3]基本功能。許多研究已經完成，研究不同的新型聚合物的蝕刻性能，但沒有明確的理論描述了如何將除C，H和O的其他原子進入蝕刻方程。

結果 (繁體中文) 2:

隨著先進半導體技術的發展，對材料的要求被推到了非常具體和極端。越來越多的新型聚合物用於光刻等領域，其中一些聚合物含有C、H和O以外的元素，如氮、磷、硫、氟、溴、碘、硼、矽等。這些聚合物由於能提供獨特的功能而備受關注。的
Ohnishi參數是聚合物結構和等離子體蝕刻率的基本函數，它來自濺射產量和單位體積中的C、H和O的組成[3]。研究不同新聚合物的蝕刻特性已經做了很多研究，但沒有明確的理論表明如何將C、H和O以外的原子放入蝕刻方程中。 ...

結果 (繁體中文) 3:

隨著先進電晶體科技的發展，對資料的要求越來越具體和極端。越來越多的新型聚合物被用於光刻等領域，其中一些聚合物含有除C、H、O以外的元素，如氮、磷、硫、氟、溴、碘、硼、矽等。這些聚合物因其獨特的功能而備受關注。這個
Ohnishi參數是聚合物結構和电浆刻蝕速率的一個基本函數，由濺射產量和組織體積內C、H和O的組成匯出[3]。人們已經做了大量的研究來研究不同新型聚合物的蝕刻特性，但是沒有明確的理論來說明如何將C、H和O以外的原子放入蝕刻方程中。