The third paper, by Patel et al. an

The third paper, by Patel et al. and published by SPIE in 2006, studied the plasma etch properties of fluorine-containing polymers in CF4-based plasma. A negative NF was added in the equation (7) to fit their data [7]. Fluorine in the polymer is the fast-etch material in the reducing gas CF4. The number of fluorine atoms in the etch equation should be negative

結果 (繁體中文) 1:

第三紙，由Patel等人。並通過SPIE，2006年出版的，研究了基於CF 4的等離子含氟聚合物的等離子體蝕刻特性。負NF是在方程（7）中加入以滿足他們的數據[7]。氟聚合物中是還原氣體CF4在快速蝕刻材料。氟原子的刻蝕方程中的數量應為負

結果 (繁體中文) 2:

第三篇論文由Patel等人撰寫，由SPIE于2006年發表，研究了CF4等離子體中含氟聚合物的等離子蝕刻特性。在方程 （7） 中添加了負 NF 以適合其資料 [7]。聚合物中的氟是還原氣體CF4中的快蝕刻材料。蝕刻方程中的氟原子數量應為負數

結果 (繁體中文) 3:

第三篇論文，由Patel等人撰寫。並於2006年由SPIE出版，研究了含氟聚合物在CF4基电浆中的刻蝕效能。在方程（7）中加入負NF以擬合其數據[7]。聚合物中的氟是還原氣體CF4中的快速腐蝕資料。蝕刻方程式中的氟原子數應為負