Electrical Characterization : The e

Electrical Characterization : The electrical transport and optical response of the devices were carried out in the chamber of NSOM. The resistance-gate voltage characteristics of devices were measured using standard lock-in techniques. For the optical response of the devices, 325 nm and 445 nm lasers were used as the light source. The measurements of dark current and photocurrent were carried out by Keithley 6430.

結果 (中文) 1:

电气特性： 电气运输和光学响应的设备进行了 NSOM 分庭。抵抗门电压特性的设备被测量使用标准锁在技术。光学响应的设备、 325 nm、 445 nm 激光器作为光源。由吉时利 6430 进行了暗电流和光电流的测量。

結果 (中文) 2:

电气特性：电气和运输设备的光学响应，进行了近场光学显微镜室。使用标准的锁相技术设备的电阻 - 栅极电压特性进行测定。对于器件的光学响应，325 nm和445 nm的激光被用作光源。暗电流和光电流的测量进行了吉时利6430。

結果 (中文) 3:

电气特性：器件的电输运和光响应是在室内进行的比较。使用标准的锁定技术测量电阻的栅极电压特性的设备。该装置的光学响应，325 nm和445 nm激光作为光源。暗电流和光电流的测量是由Keithley 6430进行了。