However, when the C-N ring is expos

However, when the C-N ring is exposed to a reducing gas plasma, such as CF4 and N2/H2, it degrades easily and does not form a slow-etch structure. In this case, nitrogen is a fast-etch material that makes a positive contribution to etching, and therefore should be treated the same as oxygen in the etch rate equation:

結果 (繁體中文) 1:

然而，當CN環被暴露於還原氣體等離子體，如CF 4和N 2 / H 2，它容易降解並且不形成一個緩慢的蝕刻結構。在這種情況下，氮是一種快速的蝕刻材料，使得在蝕刻了積極的貢獻，並因此應該被視為相同的蝕刻速率方程中氧氣：

結果 (繁體中文) 2:

但是，當 C-N 環暴露于還原氣體等離子體（如 CF4 和 N2/H2）時，它很容易降解，不會形成慢蝕結構。在這種情況下，氮是一種對蝕刻有積極貢獻的快速蝕刻材料，因此在蝕刻速率方程中應與氧氣一樣處理：

結果 (繁體中文) 3:

然而，當C-N環暴露在CF4和N2/H2等還原性氣體电浆中時，它很容易降解，不會形成慢腐蝕結構。在這種情況下，氮是一種快速蝕刻資料，對蝕刻有積極的貢獻，囙此應與蝕刻速率方程中的氧一樣進行處理：